氣流磨作為半導(dǎo)體材料的常用加工設(shè)備，想必在這種新型材料氧化鎵的超微粉碎上一定也可以取得較好的效果。氧化鎵在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用并不是一項嶄新的技術(shù)，在很多年前就有人對其展開了大量的研究，但這種材料原本不是用于功率元件的，最初是計劃用于LED（發(fā)光二極管）基板等而進(jìn)行研發(fā)的。
氣流磨對物料的超微粉碎，可以提高物料的附加值以及擴(kuò)大產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。但是這些用途的研發(fā)與應(yīng)用規(guī)模較小，它的一些“特異功能”似乎有些超前，并無用武之地，再加上它的技術(shù)難度高以及散熱方面問題突出，在當(dāng)時看來顯然不如開發(fā)碳化硅、氮化鎵等更具有性價比。
而隨著應(yīng)用需求的發(fā)展愈加明朗，未來對高功率器件的性能要求越來越高，尤其是對超寬禁帶半導(dǎo)體材料的迫切需求，這使得人們更深切地看到了氧化鎵的優(yōu)勢和前景，相應(yīng)的研發(fā)工作又多了起來，已成為美國、日本、德國等國家的研究熱點和競爭重點。
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